فوسفيد الگاليوم

فوسفيد الگاليوم
الأسماء
	اسم أيوپاك gallanylidynephosphane
تمييز
رقم CAS	[12063-98-8]
PubChem	82901
رقم RTECS	LW9675000
SMILES	[Ga]#P;
InChI	InChI=1/Ga.P/rGaP/c1-2
الخصائص
الصيغة الجزيئية	GaP
كتلة مولية	100.697 g/mol
المظهر	pale orange solid
الرائحة	odorless
الكثافة	4.138 g/cm3
نقطة الانصهار	1477 °C, 1750 K, 2691 °F
قابلية الذوبان في الماء	insoluble
الفجوة الحزمية	2.26 eV (300 K)
حركية الإلكترون	250 cm2/(V*s) (300 K)
التوصيل الحراري	1.1 W/(cm*K) (300 K)
معامل الانكسار (nD)	3.02 (2.48 µm), 3.19 (840 nm), 3.45 (550 nm), 4.30 (262 nm)
البنية
البنية البلورية	Zinc Blende
الزمرة الفراغية	T2d-F-43m
ثابت العقد	a = 545.05 pm
إحداثية	Tetrahedral
المخاطر
(معيـَّن النار)
نقطة الوميض	110 °م (230 °ف; 383 ك)
مركبات ذا علاقة
أنيونات أخرى	Gallium nitride; Gallium arsenide; Gallium antimonide
كاتيونات أخرى	Aluminium phosphide; Indium phosphide
	ما لم يُذكر غير ذلك، البيانات المعطاة للمواد في حالاتهم العيارية (عند 25 °س [77 °ف]، 100 kPa).
	verify (what is ?)
	مراجع الجدول

فوسفيد الگاليوم Gallium phosphide ‏(GaP)، فوسفيد الگاليوم، هومادة شبه موصلة مركبة with an indirect band gap of 2.26 eV(300K). The polycrystalline material has the appearance of pale orange pieces. Undoped single crystal wafers appear clear orange, but strongly doped wafers appear darker due to free-carrier absorption. It is odorless and insoluble in water.

Sulfur or tellurium are used as dopants to produce n-type semiconductors. Zinc is used as a dopant for the p-type semiconductor.

Gallium phosphide has applications in optical systems. Its refractive index is between 4.30 at 262 nm (UV), 3.45 at 550 nm (green) and 3.19 at 840 nm (IR).

الصمامات الثنائية الباعثة للضوء

Gallium phosphide has been used in the manufacture of low-cost red, orange, and green light-emitting diodes (LEDs) with low to medium brightness since the 1960s. It has a relatively short life at higher current and its lifetime is sensitive to temperature. It is used standalone or together with gallium arsenide phosphide.

Pure GaP LEDs emit green light at a wavelength of 555 nm. Nitrogen-doped GaP emits yellow-green (565 nm) light, zinc oxide doped GaP emits red (700 nm).

Gallium phosphide is transparent for yellow and red light, therefore GaAsP-on-GaP LEDs are more efficient than GaAsP-on-GaAs.

At temperatures above ~900 °C, gallium phosphide dissociates and the phosphorus escapes as a gas. In crystal growth from a 1500 °C melt (for LED wafers), this must be prevented by holding the phosphorus in with a blanket of molten boric oxide in inert gas pressure of 10-100 atmospheres. The process is called Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) growth, an elaboration of the Czochralski process used for silicon wafers.