في بداية العام، قدمت شركة SK Hynix LPDDR5T، وهو تنسيق جديد لذاكرة الوصول العشوائي (RAM) للأجهزة المحمولة أدى إلى تحسين الأداء بنسبة 13% مقارنة بـ LPDDR5X. وعلى الرغم من أنه يبدو أن هذا سيكون النوع الجديد من ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) التي ستعتمدها الهواتف المحمولة في السنوات القادمة، إلا أنه يبدو أن سامسونغ لديها خطة مختلفة لهواتفها الذكية.

LLW  DRAM هو نوع من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات زمن الاستجابة المنخفض للغاية. وهذا يختلف عن ذاكرة الرام LPDDR التقليدية التي تستخدمها الهواتف المحمولة اليوم لأنها تحتوي على عدد من قنوات إدخال وإخراج البيانات (I).

ميزة أخرى لهذا النوع الجديد من DRAM هي أنه سيتم دمج وحدة LLW في SoC (المعالج)، كما يمكن رؤيته في الفيديو الذي نشرته سامسونغ . وهذا يعني أنه سيتعين على سامسونغ طلب إصدارات مخصصة من المعالجات المستخدمة في هواتفها المحمولة من الشركة المصنعة TSMC، مثل Snapdragon 8 Gen 3 الذي سيحمله هاتف غالاكسي S24. في الواقع، من المحتمل أنه لهذا السبب لن ترى LLW DRAM النور حتى عام 2025  عندما سيتم إطلاقغالاكسي S25.

A special type of DRAM that increases bandwidth and latency limits, Low Latency Wide IO (#LLW) is significantly more efficient in processing real-time data than #LPDDR, making it perfect for mobile #AI and #Gaming applications. Learn more.https://t.co/ONb8wHwnTv pic.twitter.com/nra2v9OUpc

— Samsung Semiconductor (@SamsungDSGlobal) November 29, 2023

 ÙÙŠ الختام، LLW DRAM عبارة عن ذاكرة وصول عشوائي ذات نطاق ترددي أكبر مما يقلل من زمن الوصول واستهلاك الطاقة. كل هذا يجعلها مثالية لتشغيل ألعاب الفيديو أو الذكاء الاصطناعي ونماذج الواقع المعزز التي تتطلب معالجة كميات كبيرة من البيانات في وقت قصير.