معالجات أربعة بت

إنتل 4004: أول معالج ميكروي (µP) أحادي الرقاقة

• تاريخ الإدخال في العمل 15 نوفمبر 1971
• تردد الساعة 740 كيلوهرتز
• الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
• عرض الممر أربعة بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
• نصف ناقل أكسيد المعدن ذوالقناة P
• عدد الترانزستورات 2,300 علىعشرة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
• ذاكرة البرنامج أربعة كيلوبايت
• أول معالج مكروي تجاري (F14 CADC)
• استخدم في آلة شركة بوسيكوم (Busicom) الحاسبة.
• كانت الغاية الوصول إلى تردد ساعة يعادل التردد المستخدم في حاسوب IBM 1620 لكن ذلك لم يتحقق.

4040

• تاريخ الإدخال في العمل الربع الأخير من سنة 1974
• تردد الساعة من 500 إلى 740 كيلوهرتز (باستعمال كريستالات بتردد من أربعة إلى 5.185 ميجاهيرتز)
• الطاقة المقدرة 0.06 MIPS
• عرض الممر أربعة بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
• نصف ناقل أكسيد المعدن ذوالقناة P
• عدد الترانزستورات 3000 علىعشرة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 640 بايت
• ذاكرة البرنامجثمانية كيلوبايت
• أشعة المقاطعة (Interrupts)
• نسخة متطورة من 4004

معالجاتثمانية بت

8008

• تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1972
• تردد الساعة 500 كيلوهرتز (8008-1: 800 كيلوهرتز)
• الطاقة المقدرة 0.05 MIPS
• عرض الممرثمانية بت (إرسال تعاقبي متعدد للعناوين والبيانات نظرا لمحدودية الأرجل pins)
• نصف ناقل أكسيد المعدن ذوالقناة P
• عدد الترانزستورات 3500 علىعشرة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 16 كيلوبايت
• شائع في الطرفيات الخاملة, الآلات الحاسبة, آلات التعليب Typical in dumb terminals, general calculators, bottling machines
• طور بالتوازي مع 4004
• الغرض الأصلي من تطويره كان استعماله ضمن الطرفية داتابوينت 2200 (Datapoint 2200)

8080

• تاريخ الإدخال في العمل 1 أبريل 1974
• تردد الساعة 2 ميجاهرتز
• الطاقة المقدرة 0.64 MIPS
• عرض ممر المعطياتثمانية بت, ممر العناوبن 16 بت
• نصف ناقل أكسيد معدني ذوالقناة N
• عدد الترانزستورات 6000 علىستة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 64 كيلوبايت
• تضاعف الآداءعشرة مرات عن 8008
• استخدم في التاير 8800 (Altair 8800), متحكمات إشارات المرور, صواريخ كرويز Used in the Altair 8800, Traffic light controller, cruise missile
• يحتاج إلىستة رقائق محيطة بالمقارنة مع 20 رقاقة مستخدمة في المعالج 8008

8085

• تاريخ الإدخال في العمل مارس 1976
• تردد الساعةخمسة ميجاهرتز
• الطاقة المقدرة 0.37 MIPS
• عرض ممر المعطياتثمانية بت, ممر العناوبن 16 بت
• عدد الترانزستورات 6500 على ثلاثة ميكرومتر
• لغة التجميع متوافقة ارتجاعيا مع 8080.
• استخدم في مقياس توليدوكما استخدم في متحكمات الدخل والخرج (مودم, أقراص صلبة...الخ).
• استخدمت النسخة المبنية على تكنولوجيا CMOS في الحاسب المحمول TRS-80 Model 100 line
• مستوى عالي التكامل (High level of integration), أول معالج يعمل بجهدخمسة فولت بدلا من 20 فولت. كما يحتوي على وصلتي إدخال وإخراج تسلسليتين.

معالجات 16 بت: بداية التصميم x86

8086

• تاريخ الإدخال في العملثمانية يونيو1978
• ترددات الساعة:
  • 5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
  • 8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.66 MIPS
  • 10 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
• عرض ممر المعطيات 16 بت, ممر العناوبن 20 بت
• عدد الترانزستورات 29000 على ثلاثة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجابايت
• تضاعف الآداءعشرة مرات عن 8080
• استخدم في الحواسب المحمولة
• يستخدم مسجلات القطاع (segment registers) لتقسيم الذاكرة إلى 16 مبتر (segments) جميع منها بحجم 64 كيلوبايت مما يسهل الوصول المباشر إلى جميع مبتر.

8088

• تاريخ الإدخال في العمل 1 يونيو1979
• ترددات الساعة:
  • 5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.33 MIPS
  • 8 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.75 MIPS
• عرض ممر المعطياتثمانية بت, ممر العناوبن 20 بت
• عدد الترانزستورات 29000 على ثلاثة ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 1 ميجابايت
• مطابق لـ 8086 الفرق الوحيد في عرض ممر المعطيات
• استخدم في حاسب IBM PC والمحواسب المتطابقة معه.

iAPX 432 (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 1 يناير 1981
• وحدة معالجة مركزية متعددة الرقائق; أول معالج ميكروي لإنتل بحجم حدثة يبلغ 32 بت
• راجع الفقرة حول المعالج

80186

• تاريخ الإدخال في العمل 1982
• استخدم غالبا في التطبيقات المدمجة كالمتحكمات (controllers), نظم نقاط البيع (point-of-sale systems) والمنافذ (terminals)
• تميز عن المعالجات السابقة بدمج عدد من الدارات المجالية إلى رقاقة المعالج كمولدي التزامن (Timer), متحكم الوصول المباشر للذاكرة (DMA controller)ومتحكم المقاطعة (interrupt controller).
• أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 186

80188

• نسخة من 80186 مع ممر معطيات بعرضثمانية بت بدلا من 16 بت.
• أعيدت تسميته لاحقا إلى iAPX 188

80286

• تاريخ الإدخال في العمل 1 فبراير 1982
• ترددات الساعة:
  • 6 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 0.9 MIPS
  • 8 ميجاهرتز,عشرة ميجاهرتز بطاقة مقدرة 1.5 MIPS
  • 12.5 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.66 MIPS
• عرض ممر المعطيات 16 بت, ممر العناوبن 24 بت
• عدد الترانزستورات 134000 على 1.5 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميجابايت
• بامكانه استخدام الذاكرة الافتراضية (Virtual Memory) عند الضرورة
• يدعم نمطي تشغيل مختلفين:

حقيقي (Real Mode): يحاكي عمل المعالج 8086

محمي (Protected Mode): يتيح التعامل مع 16 ميجابايت من الذاكرة الحقيقية. كما يقوم بحماية مجالات الذاكرة من التداخل عند إجراء مهام متعددة بنفس الوقت.

• تضاعف الآداء من ثلاثة إلىستة مرات عن 8086
• استخدم على نطاق واسع في الحاسوب الشخصي (PC) والحواسب المتطابقة معه.
• Can scan the Encyclopædia Britannica in 45 seconds

32-bit processors: The non-x86 µPs

iAPX 432

• Introduced 1 يناير, 1981 as Intel's first 32-bit microprocessor
• Object/capability architecture
• Microcoded operating system primitives
• One terabyte virtual address space
• Hardware support for fault tolerance
• Two-chip General Data Processor (GDP), consists of 43201 and 43202
• 43203 Interface Processor (IP) interfaces to I/O subsystem
• 43204 Bus Interface Unit (BIU) simplifies building multiprocessor systems
• 43205 Memory Control Unit (MCU)
• Architecture and execution unit internal data paths 32 bit
• Clock speeds:
  • 5 ميجاهيرتز
  • 7 ميجاهيرتز
  • 8 ميجاهيرتز

i960 aka 80960

• Introduced April 5, 1988
• RISC-like 32-bit architecture
• predominantly used in embedded systems
• Evolved from the capability processor developed for the BiiN joint venture with Siemens
• Many variants identified by two-letter suffixes.

80386SX (chronological entry)

• Introduced June 16, 1988
• See main entry

80376 (chronological entry)

• Introduced January 16, 1989
• See main entry

i860 aka 80860

• Introduced February 27, 1989
• Intel's first superscalar processor
• RISC 32/64-bit architecture, with pipeline characteristics very visible to programmer
• Used in Intel Paragon massively parallel supercomputer

XScale

• Introduced August 23, 2000
• 32-bit RISC microprocessor based on the ARM architecture
• Many variants, such as the PXA2xx applications processors, IOP3xx I/O processors and IXP2xxx and IXP4xx network processors.

معالجات 32 بت: عائلة 80386

80386DX

• تاريخ الإدخال في العمل 17 أكتوبر 1985
• ترددات الساعة:
  • 16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة منخمسة إلىستة MIPS
  • 16 فبراير 1987 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة منستة إلىسبعة MIPS
  • 4 أبريل 1988 25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 8.5 MIPS
  • 10 أبريل 1989 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 11.4 MIPS
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوبن 16 بت
• نصف ناقل أكسيد معدني متمم (CMOS)
• عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• أول رقاقة بتصميم x86 قادرة على التعامل مع حجم حدثة 32 بت
• تحسين نمط التشغيل المحمي وإضافة نمط حديث هوالنمط الافتراضي (virtual mode) الذي يستطيع حتى يحاكي عددا من معالجات 8086 في نفس الوقت.
• إضافة خصائص يتطلبها نظامي تشغيل ويندوز 95 وOS/2
• استخدم في الحاسبات المخطية

80960 (i960) (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العملخمسة أبريل 1988
• راجع الفقرة حول المعالج

80386SX

• تاريخ الإدخال في العمل 16 يونيو1988
• ترددات الساعة:
  • 16 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.5 MIPS
  • 25 يناير 1989 20 ميجاهرتز بطاقة مقدرة MIPS 2.5 و25 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.7 MIPS
  • 26 أكتوبر 1992 33 ميجاهرتز بطاقة مقدرة 2.9 MIPS
• عرض ممر المعطيات 16 بت
• عدد الترانزستورات 275000 على 1 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 16 ميغابايت
• الذاكرة الافتراضية 256 غيغابايت
• عرض ممر العناوين 16 بت يسمح بمعالجة بعرض 32 بت بتكاليف منخفضة
• يدعم تعدد الوظائف (multitasking)
• استخدم في الحواسب المخطية والمحمولة الأولى

80376

• تاريخ الإدخال في العمل 16 يناير 1989; أوقف العمل به بتاريخ 15 يونيو2001
• أحد معالجات عائلة 386 مخصص للأنظمة المدمجة
• من دون "نمط حقيقي", يقلع مباشرة بوضعية "نمط محمي"
• تم استبداله في عام 1994 بالمعالج 80386EX

80860 (i860) (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 27 فبراير 1989
• راجع الفقرة حول المعالج

80486DX (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العملعشرة أبريل 1989
• راجع الفقرة حول المعالج

80386SL

• تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر 1990
• ترددات الساعة:
  • 20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 4.21 MIPS
  • 30 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 5.3 MIPS
• عرض ممر المعطيات 16 بت
• عدد الترانزستورات 855000 على 1 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• أول رقاقة تم تصميمها بشكل خاص للحواسب المحمولة حيث تتميز باستهلاك منخفض للطاقة
• له خصائص مدمجة عالية حيث يتضمن متحكمات الذاكرة المخبئية والذاكرة الرئيسية وممرات النقل

80486SX/DX2/SL, بنتيوم, 80486DX4 (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 1991 - 1994
• راجع الفقرة حول المعالج

80386EX

• تاريخ الإدخال في العمل أوغسطس 1994
• نوع مشابه للمعالج 80386SX مخصص للأنظمة المدمج
• إمكانيةالتحكم بتردد الساعة وتبطيىء المعالج حتى الصفر باستخدام نمط التوقف الحقيقي الذي يحفظ حالة العمل الكاملة للرقاقة في الذاكرة مع استهلاك أصغري للطاقة
• الطرفيات على الرقاقة:
  • متحكمات الساعة والطاقة
  • مولدات تزامن (مؤقتات)/عدادات
  • مؤقت المراقب
  • وحدات دخل/خرج تسلسلية (متزامنة وغير متزامنة) وتفرعية
  • الوصول المباشر للذاكرة (DMA)
  • ذلكرة وصول عشولئي متجددة (Refresh RAM)
  • JTAG دارة الاختبار المنطقية
• لاقى نجاحا واسعا أكثر من المعالج 80376
• استخدم في الأقمار الاصطناعية كما استخدمته ناسا في مشروعها فلايتلينوكس (FlightLinux)

معالجات 32 بت : عائلة 80486

80486DX

• تاريخ الإدخال في العملعشرة أبريل 1989
• ترددات الساعة:
  • 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
  • 7 مايو1990 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
  • 24 يونيو1991 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوين 32 بت
• عدد الترانزستورات 1.2 مليون على 1 ميكرومتر (0.8 ميكرومتر لنموذج الـ 50 ميجاهيرتز)
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• تحتوي الرقاقة على ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة،ثمانية كيلوبايت
• تضاعف الآداء 50 مرة عن 8080
• استخدم في الحواسب المخطية والمخدمات

80386SL (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 15 أكتوبر 1990
• راجع الفقرة حول المعالج

80486SX

• تاريخ الإدخال في العمل 22 أبريل 1991
• ترددات الساعة:
  • 16 سبتمبر 1991 16 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 13 MIPS و20ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 16.5 MIPS
  • 16 سبتمبر 1991 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 20 MIPS
  • 21 سبتمبر 1992 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 27 MIPS
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوين 32 بت
• عدد الترانزستورات 1.185 مليون على 1 ميكرومتر و900000 على 0.8 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة،ثمانية كيلوبايت
• يختلف عن المعالج 80486DX فقط بعدم وجود معالج مساعد رياضي (math coprocessor)
• استخدم في الحواسب المخطية قليلة التكلفة والتي تستعمل معالجات من عائلة 80486
• تمت ترقيته بمعالج إنتل المطور (Intel OverDrive)

80486DX2

• تاريخ الإدخال في العمل ثلاثة مارس 1992
• ترددات الساعة:
  • 50 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 41 MIPS
  • 10 أغسطس 1992 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 54 MIPS
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوين 32 بت
• عدد الترانزستورات 1.2 ميليون على 0.8 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• ذاكرة مخبئية من المستوى الأول (Level 1 cache) مدمجة،ثمانية كيلوبايت
• استخدم في الحواسب المخطية ذات الآداء العالي والتكلفة المنخفضة
• يستخدم تقنية "مضاعف السرعة" حيث يعمل المعالج داخليا بسرعة تعادل ضعف سرعة الممر

80486SL

• تاريخ الإدخال في العملتسعة نومبر 1992
• ترددات الساعة:
  • 20 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 15.4 MIPS
  • 25 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 19 MIPS
  • 33 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 25 MIPS
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوين 32 بت
• عدد الترانزستورات 1.4 مليون على 0.8 ميكرومتر
• الذاكرة القابلة للعنونة 64 ميغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• استخدم في الحواسب المحمولة

بنتيوم (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس, 1993
• راجع الفقرة حول المعالج

80486DX4

• تاريخ الإدخال في العملسبعة مارس, 1994
• ترددات الساعة:
  • 75 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 53 MIPS
  • 100 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 70.7 MIPS
• عدد الترانزستورات 1.6 مليون على 0.6 ميكرومتر
• عرض ممر المعطيات 32 بت, ممر العناوين 32 بت
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• عدد الأرجل 168 لغطاء بي جي أي (PGA) و208 لغطاء اس كيواف بي (SQFP)
• مساحة الرقاقة 345 ملم²
• استخدم في الحواسب المخطية متوسطة الكلفة ذات الأداء العالي وفي الحواسب المحمولة عالية الكلفة

معالجات 32 بت : بنتيوم I

بنتيوم Pentium ("النموذج التقليدي")

• تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1993
• تقنية التصنيع 0.8 ميكرومتر (P5)
• عرض ممر المعطيات 64 بت, ممر العناوين 32 بت
• تردد نظام الممرات 50 أو60 أو66 ميجاهيرتز
• عدد الترانزستورات 3.1 مليون
• الذاكرة القابلة للعنونة أربعة غيغابايت
• الذاكرة الافتراضية 64 تيرابايت
• غطاء من نوع بي جي اي ذومقبس سوكيت أربعة بـ 273 رجل
• أبعاد الغطاء 2.16 إنش × 2.16 إنش
• معالجة فائقة التدرج أتاحت مضاعفة الآداءخمسة مرات عن معالج 486DX ذوالتردد 33 ميجاهيرتز
• يعمل بجهدخمسة فولت
• استخدم في الحواسب المخطية
• 16 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• الأصناف
  • 60 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 100 MIPS
  • 66 ميجاهيرتز بطاقة مقدرة 112 MIPS
• تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر (P54C)
• غطاء من نوع بي جي اي ذومقبس سوكيتسبعة بـ 321/296 رجل
• عدد الترانزستورات 3.2 ميليون
  • 75 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملعشرة أكتوبر 1994
  • 90 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملسبعة مارس 1994
  • 100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملسبعة مارس 1994
  • 120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 27 مارس 1995
• تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P54C)
• عدد الترانزستورات 3.3 ميليون
• مساحة الرقاقة 90 ملم²
  • 120 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل مارس 1995
  • 133 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل يونيو1995
  • 150 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل أربعة يناير 1996
  • 166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل أربعة يناير 1996
  • 200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملعشرة يونيو1996

80486DX4 (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العملسبعة مارس 1994
• راجع الفقرة حول المعالج

80386EX (Intel386 EX) (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل أغسطس 1994
• راجع الفقرة حول المعالج

Pentium Pro (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل نوفمبر 1995
• راجع الفقرة حول المعالج

بنتيوم إم إم إكس Pentium MMX

• تاريخ الإدخال في العملثمانية يناير 1997
• تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر (P55C)
• تعليمات إنتل إم إم إكس (Intel MMX Instructions)
• غطاء من نوع بي جي اي ذومقبس سوكيتسبعة بـ 321/296 رجل
• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• عدد الترانزستورات 4.5 ميليون
• تردد نظام الممرات 66 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 166 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملثمانية يناير 1997
  • 200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملثمانية يناير 1997
  • 233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يونيو1997
  • 166 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
  • 200 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العملثمانية سبتمبر 1997
  • 233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العملثمانية سبتمبر 1997
  • 266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 1998
  • 300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العملسبعة يناير 1999

معالجات 32 بت: بنتيوم برو، بنتيوم II، سيليرون، بنتيوم III، بنتيوم إم

بنتيوم بروPentium Pro

• تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
• تقنية التصنيع 0.6 ميكرومتر
• غطاء من نوع إس بي جي أي الثنائي (Dual SPGA) ذومقبس سوكيتثمانية بـ 387 رجل
• عدد الترانزستورات 22 مليون
• 16 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
• تردد ممرات النظام 60 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 155 ميجاهيرتز
• تقنية التصنيع 0.35 ميكرومتر أو0.35 ميكرومتر CPU و0.6 ميكرومتر L2 cache
• عدد الترانزستورات 36.5 مليون أو22 مليون
• 512 كيلوبايت أو256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
• تردد ممرات النظام 60 أو66 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 166 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلوبايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
  • 180 ميجاهيرتز (60 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلوبايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
  • 200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 256 كيلوبايت 0.6 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
  • 200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 512 كيلوبايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 1 نوفمبر 1995
  • 200 ميجاهيرتز (66 ميجاهيرتز تردد الممر، 1 ميغابايت 0.35 ميكرومتر ذاكرة مخبئية) تاريخ الإدخال في العمل 18 أغسطس 1997

بنتيوم II

• تاريخ الإدخال في العملسبعة مايو1997
• بنية (Klamath) بتقنية تصنيع 0.35 ميكرومتر (233، 266، 300 ميجاهيرتز)
• مطابق لبنتيوم برومع إضافة تعليمات MMX وتطوير دعم تطبيقات 16 بت
• غطاء من نوع إس إي سي (SEC, Single Edge Contact) ذومنفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
• عدد الترانزستورات 7.5 مليون
• تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.

• الأصناف
  • 233 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملسبعة مايو1997
  • 266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملسبعة مايو1997
  • 300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملسبعة مايو1997
• بنية (Deschutes) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر (333، 350، 400، 450 ميجاهيرتز)
• تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
• تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز (للصنف 333ميجاهيرتز فقط)، 100ميجاهيرتز لباقي الأصناف
• الأصناف
  • 333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يناير 1998
  • 350 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
  • 400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
  • 450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
  • 233 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
  • 266 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 1998
  • 300 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العملتسعة سبتمبر 1998
  • 333 ميجاهيرتز (محمول)

سيليرون Celeron (يعتمد على بنتيوم II)

• تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
• بنية (Covington) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
• غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP, Single Edge Processor Package) ذومنفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
• عدد الترانزستورات 7.5 مليون
• تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• لا توجد ذاكرة مخبئية من المستوى الثاني
• الأصناف
  • 266 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 15 أبريل 1998
  • 300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملتسعة يونيو1998
• بنية (Mendocino) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
• تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
• غطاء من نوع إس إي بي بي (SEPP, Single Edge Processor Package) ذومنفذ سلوت 1 بـ 242 رجل، غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذومقبس سوكيت 370
• عدد الترانزستورات 19 مليون
• تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز
• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 128 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
• الأصناف
  • 300A ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
  • 333 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 أغسطس 1998
  • 366 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل أربعة يناير 1999
  • 400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل أربعة يناير 1999
  • 433 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 22 مارس 1999
  • 466 ميجاهيرتز
  • 500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
  • 533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل أربعة يناير 2000
  • 266 ميجاهيرتز (محمول)
  • 300 ميجاهيرتز (محمول)
  • 333 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العملخمسة أبريل 1999
  • 366 ميجاهيرتز (محمول)
  • 400 ميجاهيرتز (محمول)
  • 433 ميجاهيرتز (محمول)
  • 450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000
  • 466 ميجاهيرتز (محمول)
  • 500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 14 فبراير 2000

بنتيوم II زيون Xion (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو1998
• راجع الفقرة حول المعالج

بنتيوم III

• تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
• بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
• بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
• عدد الترانزستورات 9.5 مليون
• 32 كيلوبايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 512 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
• غطاء من نوع إس إي سي سي2 ( SECC2, Single Edge Contact cartridge 2) ذومنفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
• تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
  • 500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
  • 550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو1999
  • 600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
  • 533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
  • 600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
• بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر
• تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
• عدد الترانزستورات 28.1 مليون
• 32 كيلوبايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
• غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2, Single Edge Contact cartridge 2) ذومنفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة ومن نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA, Flip-chip pin grid array) ذو370 إبرة
• تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
  • 533 ميجاهيرتز
  • 550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
  • 600 ميجاهيرتز
  • 600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
  • 650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
  • 800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
  • 800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
  • 850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
  • 866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
  • 933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو2000
  • 1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملثمانية مارس 2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)
  • 400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
  • 600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
  • 650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
  • 700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل 2000
  • 750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
  • 800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
  • 850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
  • 900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
  • 1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
• بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر
• تاريخ الإدخال في العمل يوليو2001
• عدد الترانزستورات 28.1 مليون
• 32 كيلوبايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 256 كيلوبايت أو512 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
• غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA, Flip-chip pin grid array) ذو370 إبرة
• تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
  • 1200 ميجاهيرتز
  • 1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
  • 1333 ميجاهيرتز
  • 1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)

بنتيوم II و== نص عنوان رئيسي ==III زيون(Xeon)

• بنتيوم II زيون (PII Xeon)
• الأصناف
  • 400 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 29 يونيو1998
  • 450 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العملستة أكتوبر 1998
  • 450 ميجاهيرتز (1-2 ميغابايت L2 Cache) تاريخ الإدخال في العملخمسة يناير 1999
• بنتيوم III كزيون (PIII Xeon)
• تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
• عدد الترانزستورات: 9.5 مليون على 0.25 ميكرومتر أو28 مليون على 0.18 ميكرومتر
• 256 كيلوبايت أو1-2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
• غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2, Single Edge Contact cartridge 2) أوإس سي 330 (SC330)
• تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز (256 كيلوبايت L2) أو100 ميجاهيرتز (1 - 2 ميغابايت L2)
• عرض ممرات النظام 64 بت
• الذاكرة القابلة للعنونة 64 غيغابايت
• يستخدم في المخدمات ثنائية الإتجاه (two-way servers) وفي محطات العمل (256 كيلوبايت L2) أوالمخدمات رباعية وثمانية الإتجاه (1 - 2 ميغابايت L2)
• الأصناف
  • 500 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 17 مارس 1999
  • 550 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر) تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 1999
  • 600 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
  • 667 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
  • 733 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكنوبر 1999
  • 800 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 12 يناير 2000
  • 866 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العملعشرة أبريل 2000
  • 933 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2)
  • 1000 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 256 كيلوبايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 أغسطس 2000
  • 700 ميجاهيرتز (تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر، 1-2 ميغابايت L2) تاريخ الإدخال في العمل 22 مايو2000

سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية كوبرماين)

• تاريخ الإدخال في العمل مارس 2000
• بنية كوبرماين- 128 (128 Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومت
• تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
• غطاء من نوع بي بي جي اي (PPGA) ذومقبس سوكيت 370
• عدد الترانزستورات 28.1 مليون
• تردد ممرات النظام 66 ميجاهيرتز، 100 ميجاهيرتز في ثلاثة يناير 2001
• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 128 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
• الأصناف
  • 533 ميجاهيرتز
  • 566 ميجاهيرتز
  • 633 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
  • 667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
  • 700 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 يونيو2000
  • 733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000
  • 766 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 13 نوفمبر 2000
  • 800 ميجاهيرتز
  • 850 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العملتسعة أبريل 2001
  • 900 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
  • 950 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
  • 1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
  • 1100 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 31 أغسطس 2001
  • 1200 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 اكتوبر 2001
  • 1300 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل ثلاثة يناير 2002
  • 550 ميجاهيرتز (محمول)
  • 600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
  • 650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو2000
  • 700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل [[25 سبتمبر], 2000
  • 750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
  • 800 ميجاهيرتز (محمول)
  • 850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
  • 600 ميجاهيرتز (جهد منخفض محمول)
  • 500 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول) تاريخ الإدخال في العمل 30 يناير 2001
  • 600 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض محمول)

اكسكيل XScale (ذكر هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل 23 أغسطس 2000
• راجع الفقرة حول المعالج

بنتيوم 4، اتانيوم، كزيون مبني على بنتيوم 4، اتانيوم 2 (ذكروا هنا لإيضاح التسلسل الزمني فقط)

• تاريخ الإدخال في العمل أبريل 2000 - يوليو2002
• راجع الفقرة حول المعالجات

سيليرون (بنتيوم III يعتمد على بنية توالاتين)

• 32 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 256 كيلوبايت ن الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
• تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
• الأصناف
  • 1.0 غيغاهيرتز
  • 1.1 غيغاهيرتز
  • 1.2 غيغاهيرتز
  • 1.3 غيغاهيرتز
  • 1.4 غيغاهيرتز

بنتيوم إم

• تاريخ الإدخال في العمل مارس 2003
• بنية (Banias) بتقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
• 64 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
• 1 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
• مبني على نواة بنتيوم III مع تعليمات إس إس إي (SSE)(توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة) ومعالجة تدفقية مطورة
• عدد الترانزستورات 77 مليون
• غطاء المعالج من نوع Micro-FCPGA وMicro-FCBGA
• اساس أنظمة إنتل موبيال سنترينو(Intel mobile Centrino)
• ممرات نظام ذوة تصميم Netburst بتردد 400 ميجاهيرتز.
• الأصناف
  • 900 ميجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.1 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
  • 1.2 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
  • 1.3 جيجاهيرتز
  • 1.4 جيجاهيرتز
  • 1.5 جيجاهيرتز
  • 1.6 جيجاهيرتز
  • 1.7 جيجاهيرتز
• بنية (Dothan) بتقنية التصنيع 0.09 ميكرومتر
• تاريخ الإدخال في العمل مايو2004
• 2 ميجا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
• Revised data prefetch unit
• الأصناف
  • 1.0 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.1 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.2 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.3 جيجاهيرتز (جهد شديد الانخفاض)
  • 1.3 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
  • 1.4 جيجاهيرتز (جهد منخفض)
  • 1.5 جيجاهيرتز
  • 1.6 جيجاهيرتز
  • 1.7 جيجاهيرتز
  • 1.8 جيجاهيرتز
  • 1.9 جيجاهيرتز
  • 2.0 جيجاهيرتز
  • 2.13 جيجاهيرتز
  • 2.26 جيجاهيرتز

نواة إنتل Intel Core

• تاريخ الإدخال في العمل January 2006
• Yonah 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
• 667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت (Shared on Duo) L2 cache
• الأصناف:
  • Intel Core Duo T2600 2.16 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
  • Intel Core Duo T2500 2.00 جيجاهيرتز (Apple Computer iMac, MacBook Pro - Jan 06)
  • Intel Core Duo T2400 1.83 جيجاهيرتز (Apple Computer MacBook Pro - Feb 06)
  • Intel Core Duo T2300 1.66 جيجاهيرتز (Apple Computer Mac Mini -Mar 06)
  • Intel Core Solo T1300 1.66 جيجاهيرتز

سيليرون إم

• Banias-512 0.13 ميكرومتر تقنية التصنيع
• تاريخ الإدخال في العمل March 2003
• 64 كيلوبايت L1 cache
• 512 كيلوبايت L2 cache (integrated)
• No SpeedStep technology, is not part of the 'Centrino' package
• الأصناف
  • 310 - 1.20 جيجاهيرتز
  • 320 - 1.30 جيجاهيرتز
  • 330 - 1.40 جيجاهيرتز
  • 340 - 1.50 جيجاهيرتز
• Dothan-1024 90 nm تقنية التصنيع
• 64 كيلوبايت L1 cache
• 1 ميجا بايت L2 cache (integrated)
• No SpeedStep technology, is not part of the 'Centrino' package
• الأصناف
  • 350 - 1.30 جيجاهيرتز
  • 350J - 1.30 جيجاهيرتز, with Execute Disable bit
  • 360 - 1.40 جيجاهيرتز
  • 360J - 1.40 جيجاهيرتز, with Execute Disable bit
  • 370 - 1.50 جيجاهيرتز, with Execute Disable bit
  • 380 - 1.60 جيجاهيرتز, with Execute Disable bit
  • 390 - 1.70 جيجاهيرتز, with Execute Disable bit

نواة مزدوجة زيون Xeon LV

• تاريخ الإدخال في العمل March 2006
• Sossaman 0.065 ميكرومتر (65 nm) تقنية التصنيع
• 667 ميجاهيرتز frontside bus 2 ميجا بايت Shared L2 cache
• الأصناف
  • 2.0 جيجاهيرتز

معالجات 32 بت: عائلة بنتيوم 4

بنتيوم 4

• تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر (1.40 و1.50 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 20 نوفمبر 2000
  • 256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)
  • غطاء من نوع بي جي اي 423, بي جي اي 478
  • تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
  • تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
  • عدد الترنزستورات 42 مليون
  • يستخدم في الحواسب المخطية ومحطات العمل
• تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر(1.7 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 23 أبريل 2001
  • نفس خصائص الرقائق 1.4 و1.5 جيجاهيرتز
• تقنية التصنيع 0.18 ميكرومتر (1.6، 1.8 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 2 يوليو2001
  • نفس خصائص الرقائق 1.4 و1.5 جيجاهيرتز
  • تعمل النواة بجهد 1.15 فولت في نمط الآداء الأعظمي وبجهد 1.05 في نمط المدخرة (البطارية) المحسن
  • الاستطاعة < 1 واط في نمط المدخرة المحسن
  • يستخدم في الحواسب المحمولة
• تقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر ببنيةWillamette (1.9، 2.0 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 27 أغسطس 2001
  • نفس خصائص الرقائق 1.4 و1.5 جيجاهيرتز
• بنتيوم أربعة (2 جيجاهيرتز, 2.20 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 7يناير 2002
• بنتيوم أربعة (2.4 جيجاهيرتز)
  • تاريخ الإدخال في العمل 2 أبريل 2002
• 0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood A (1.7, 1.8, 1.9, 2, 2.2, 2.4, 2.5, 2.6 جيجاهيرتز)
  • تقنية تسقط التفرع محسنة
  • 512 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
  • عدد الترنزستورات 55 مليون
  • تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز.
• 0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood B (2.26, 2.4, 2.53, 2.66, 2.8, 3.06 جيجاهيرتز)
  • تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز. (3.06 يتضمن تقنية التشعب الفائق).
• 0.13 ميكرومتر; تقنية تصنيع Northwood C (2.4, 2.6, 2.8, 3.0, 3.2, 3.4 جيجاهيرتز)
  • تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز (جميع النماذج تستخدم تقنية التشعب الفائق )
  • الطاقة المقدرة من 6500 إلى 10000 MIPS

Itanium (chronological entry)

• تاريخ الإدخال في العمل 2001
• See main entry

زيون Xeon

• 1.4, 1.5, 1.7 جيجاهيرتز
  • تاريخ الإدخال في العمل 21 مايو2001
  • 256 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
  • غطاء من نوع اوايل جي أي 603 (OLGA 603)
  • تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
  • تعليمات إس إس إي 2 (SSE2)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
  • يستخدم في محطات العمل فائقة الآداء ذات المعالجات الثنائية
• 2.0 جيجاهيرتز وحتى 3.6 جيجاهيرتز
  • تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2001

Itanium 2 (chronological entry)

• تاريخ الإدخال في العمل July 2002
• See main entry

بنتيوم أربعة موبايل-M Mobile Pentium 4-M

• تقنية التصنيع 0.13 ميكرومتر
• 55 مليون ترانزيستور
• 512 كيلوبايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
• تردد ممرات النظام 400 ميجاهيرتز
• يدعم 1 غيغابايت من الذاكرة الرئيسية ذات معدل نقل البيانات المضاعف وتردد 266 ميجاهيرتز DDR 266
• يدعم نظم إدارة الطاقة ACPI 2.0 وAPM 1.2
• 1.3 V - 1.2 V (سبيدستيب SpeedStep)
• الاستطاعة: 1.2 جيجاهيرتز 20.8 واط, 1.6 جيجاهيرتز 30 واط, 2.6 جيجاهيرتز 35 واط
• الاستطاعة في وضع السباتخمسة واط (1.2 فولت)، 2.9 واط (1.0 فولت)
• • 2.60 جيجاهيرتز - 11 يونيو2003
  • 2.50 جيجاهيرتز - 16 أبريل 2003
  • 2.40 جيجاهيرتز - 14 يناير 2003
  • 2.20 جيجاهيرتز - 16 سبتمبر 2002
  • 2.00 جيجاهيرتز - 24 يونيو2002
  • 1.90 جيجاهيرتز - 24 يونيو2002
  • 1.80 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
  • 1.70 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
  • 1.60 جيجاهيرتز - 23 أبريل 2002
  • 1.50 جيجاهيرتز - أربعة مارس 2002
  • 1.40 جيجاهيرتز - أربعة مارس 2002

بنتيوم أربعة اكستريم اديشن (Pentium أربعة EE)

• تاريخ الإدخال في العمل September 2003
• يعتمد في تصميمه على نواة غالاتين (Gallatin) لمعالج كزيون ولكن بذاكرة مخبئية 2 ميغابايت

بنتيوم 4E

• تاريخ الإدخال في العمل فبراير 2004
• بنية بريسكوت Prescott (2.4A, 2.8, 2.8A, 3.0, 3.2, 3.4, 3.6, 3.8) بتقنية تصنيع 0.09 ميكرومتر
• 1 ميغا بايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)
• تردد ممرات النظام 533 ميجاهيرتز (2.4A 2.8A)
• تردد ممرات النظام 800 ميجاهيرتز ()
• تقنية التشعب الفائق مدعومة في المعالجات ذات تردد ممر المعطيات 800 ميجاهيرتز.
• زيادة عدد مراحل المعالج التدفقية من 20 إلى 31 فترة مما يسمح نظريا بزيادة تردد الساعة
• الطاقة المقدرة من 7500 إلى 11000 MIPS
• المعالجات من طراز 5xx تحتوي على مقبس LGA-775 ومن طراز 5x1 تدعم توسيعة EM64T
• المعالجات ن طراز 6xx تدعم توسيعة EM64T وتحتوي على 2 ميغابايت من الذاكرة المخبئية من المستوى الثاني (L2 cache)

بنتيوم 4F

• تاريخ الإدخال في العمل Spring 2004
• نواة مماثلة لنواة بنتيوم4E
• 3.2 - 3.6 جيجاهيرتز

معالجات 64-بت: IA-64

• New instruction set, not at all related to x86
• Current IA-64 processors support 32-bit x86 in hardware, but slowly

إيتانيوم Itanium

• Released May 29, 2001
• 733 ميجاهيرتز and 800 ميجاهيرتز

إيتانيوم 2

• Released July 2002
• 900 ميجاهيرتز and 1 جيجاهيرتز

Pentium M (chronological entry)

• Introduced March 2003
• See main entry

Pentium 4EE, 4E (chronological entries)

• Introduced September 2003, February 2004, respectively
• See main entries

The 64-bit processors: EM64T

• Intel® Extended Memory 64 Technology
• Introduced Spring 2004, with the Pentium 4F (D0 and later P4 steppings)
• 64-bit architecture extension for the x86 range; near clone of AMD64

بنتيوم 4F, وما بعده

• Starting with the D0 stepping of this processor, EM64T 64-bit extensions are supported

بنتيوم D

• Introduced Q2 2005
• Smithfield dual-core version
• 2.8-3.4 جيجاهيرتز
• 1 ميجا بايت + 1 ميجا بايت L2 cache (non-shared, 2 ميجا بايت total)
• 800 ميجاهيرتز system-bus
• Not hyperthreading, performance increase of 60% over similarly clocked Prescott
• Cache-coherency between cores requires communication over the 800 ميجاهيرتز FSB

updated Pentium D 65 nanometer "Presler"-double core to increase yields 2.8-3.4 جيجاهيرتز 2 ميجا بايت + 2 ميجا بايت L2 cache (non-shared) 800 ميجاهيرتز system bus no hyperthreading

بنتيوم إكستريم إديشن Pentium Extreme Edition رقم 955

• Presler Core
• 3.46 جيجاهيرتز Clock Speed
• Enabled Hyper Threading
• 2 x 2 ميجا بايت of memory cache

انظر أيضا

• قائمة متحكمات إنتل
• قائمة معالجات إي إم دي
• قائمة معالجات موتورولا/فريسكيل
• البنية الدقيقة لنوى إنتل Intel Core Microarchitecture

روابط خارجية

• The ChipList - By Adrian Offerman
• Intel Museum: History of the Microprocessor
• CPU decoder ring - The Tech Report
• Current Intel CPUs - The PC Doctor