ترانزستور تأثير المجال
ترانزستور تأثير المجال أو المقحل المجالي أوترانزستور تأثير المجال بالإنگليزية: Field-effect transistor نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من ثلاثة عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أوبين المصب والمنبع لأنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي. ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة أي الإلكترونات هن حوامل غالبة والفجوات الإلكترونية هن حوامل أقلية فإن النبيطة تكون شبه موصل سالب أما إذا كان التشويب موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب.
التاريخ
أول ترانزستور تأثير المجال اخترعه يوليوس إدگار ليلينفلد عام 1926 واوسكار هايل عام 1934، لكن لم يتم تطوير أجهزة أشباه الموصلات العملية إلا بعد لاحقاً بعدما تم رصد وتفسير تأثير الترانزستور من قبل فريق وليام شوكلي في معامل بل عام 1947، وفور انتهاء العشرين سنة انتهت براءة الاختراع. MOSFET، والتي تفوقت عليها JFET كان لها تأثير أكثر عمقاً على التطور الإلكتروني واخترعها داون كاهنگ ومارتن أتالا عام 1960.
معلومات أساسية
المزيد عن القنوات
التشغيل
الهجريب
الأنواع
يعتمد الترانزستور الحقلي على تأثير المجال الكهربائي في التحكم بموصلية القناة الواصلة بين المنبع والمصب ويتولد المجال الكهربي عن طريق تطبيق جهد كهربي على البوابة ذات المعاوقة الكبيرة فينتج مجال كهربي تزداد شدته بازدياد جهد البوابة ويتولى التحكم بموصلية القناة. وتنقسم المقاحل الحقلية حسب هجريب البوابة والقناة وطريقة العزل بينهما إلى:
- ترانزستور حقلي موصل
- ترانزستور معدني مؤكسد
- ترانزستور معدني
المميزات
العيوب
الاستخدامات
انظر أيضاً
- ترانزستور تأثير المجال الكيميائي
- ترانزستور تأثير المجال العضوي
- ترانزستور تأثير المجال الكمومي
- ISFET
- MOSFET
- FET amplifier
المصادر
- ^ 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated - The Silicon Engine | Computer History Museum
وصلات خارجية
مشاع الفهم فيه ميديا متعلقة بموضوع Field-effect Transistors. |
- Field Effect Transistor Applications
- PBS The Field Effect Transistor
- Junction Field Effect Transistor
- CMOS gate circuitry
- Winning the Battle Against Latchup in CMOS Analog Switches[]
- Field Effect Transistors in Theory and Practice
- The Field Effect Transistor as a Voltage Controlled Resistor[]