فوسفيد الإنديوم
| الأسماء | |
|---|---|
| أسماء أخرى
فوسفات الإنديوم الثلاثي
| |
| تمييز | |
| رقم CAS | [] |
| PubChem | |
| SMILES |
|
| InChI | InChI=1/In.P/rInP/c1-2 |
| الخصائص | |
| الصيغة الجزيئية | InP |
| كتلة مولية | 145.792 g/mol |
| المظهر | بلورات مكعبة |
| الكثافة | 4.81 گ/سم3، صلب |
| نقطة الانصهار |
1062 °C, 1335 K, 1944 °F |
| قابلية الذوبان | قابل للذوبان بشكل طفيف في الأحماض |
| الفجوة الحزمية | 1.344 eV (300 K; direct) |
| حركية الإلكترون | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| التوصيل الحراري | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
| معامل الانكسار (nD) | 3.1 (الأشعة تحت الحمراء)؛ 3.55 (632.8 nm) |
| البنية | |
| البنية البلورية | Zinc blende |
| ثابت العقد | a = 5.8687 Å |
| إحداثية | Tetrahedral |
| الكيمياء الحرارية | |
|
للتشكل ΔfH |
-88.7 ك.ج/مول |
|
entropy S |
59.8 ج/(م.ك) |
| سعة الحرارة النوعية، C | 45.4 ج/(م.ك) |
| المخاطر | |
| خطر رئيسي | سام، يتحلل إلى فوسفين |
| صفحة بيانات السلامة | External MSDS |
| مركبات ذا علاقة | |
|
أنيونات أخرى
|
نتريد الإنديوم زرنيخيد الإنديوم Indium antimonide |
|
كاتيونات أخرى
|
فوسفيد الألومنيوم فوسفيد الگاليوم |
|
مركـّبات ذات علاقة
|
فوسفيد الگاليوم الإنديوم Aluminium gallium indium phosphide Gallium indium arsenide antimonide phosphide |
|
ما لم يُذكر غير ذلك، البيانات المعطاة للمواد في حالاتهم العيارية (عند 25 °س [77 °ف]، 100 kPa). | |
 verify (what is  ?)
| |
| مراجع الجدول | |
فوسفيد الإنديوم Indium phosphide (InP) هوشبه موصل ثنائي مكون من الإنديوم والفسفور. لديه بنية بلورية مكعبة مركزية الوجه، مماثلة لزرنيخيد الگاليوم وتتكون معظمها من أشباه الموصلات الثلاثية-الخماسية.
التصنيع
فوسفيد الإنديوم يمكن تحضيرة من تفاعل الفسفور الأبيض ويوديد الإنديوم[] at 400 °C., وأيضاً بالجمع المباشر للعناصر المنقـّاة عند درجة حرارة وضغط عاليين، أوبالانحلال الحراري لخليط من مركب إنديوم ثلاثي الألكيل وفوسفين.
الاستخدامات
يستخدم فوسفيد الإنديوم في في الإلكترونيات عالية الطاقة وعالية التردد[] بسبب سرعته الإنجرافية الفائقة فيما يتعلق بأشباه الموصلات الأكثر شيوعاً مثل السليكون وزرنيخيد الگاليوم.
كان يستخدم مع زرنيخيد الگاليوم الإنديوم لصنع ترانزستور متغاير ثنائي القطب يحطم الرقم القياسي والذي يمكن تشغيله على 604 گ.هـ.
كما يمكن حتىقد يكون به فجوة نطاق مباشرة، مما يجعله مفيداً للأجهزة الإلكترونية الضوئية مثل ديودات الليزر.
كذلك يستخدم فوسفيد الإنديوم كركيزة لزرنيخيد الگاليوم الإنديوم التقيلي الذي تعتمد عليه الأجهزة الإلكترونية الضوئية.
الكيمياء
يعتبر فوفسيد الإنديوم أيضاً واحداً من من الظواهر الضوئية الأطول عمراً عن أي مركب ذوzincblende crystal structure.
الهامش
- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–61, ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu (1993), "The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry", Journal of Materials Science Letters 12 (10): 721, doi:.
- ^ "Basic Parameters of InP".
- ^ Lide, David R. (1998), Handbook of Chemistry and Physics (87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 5–20, ISBN 0-8493-0594-2
- ^ Indium Phosphide at HSDB
- ^ InP manufacture
- ^ Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. April 2005
- ^ Bouarissa, Nadir (July 2011). "Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure". Physica B: Condensed Matter. 406 (13): 2583–2587. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. Retrieved 22 March 2013.
وصلات خارجية
-
Extensive site on the physical properties of indium phosphide (Ioffe institute)
- Band structure and carrier concentration of InP.
- InP conference series at IEEE[]
- Indium Phosphide: Transcending frequency and integration limits. Semiconductor TODAY Compounds&AdvancedSilicon • Vol. 1 • Issue ثلاثة • September 2006
