موسفت
المقحل المعدني المؤكسد MOSFET، هونوع من أنواع المقاحل الحقلية، وهونبيطة تستخدم كمفتاح أوكمكبر للإشارات الإلكترونية. يوجد نوعان من هذا المقحل وهما: النوع السالب بالإنگليزية: nMOSFET حيث يحتوي على قناة سالبة، والنوع الموجب بالإنگليزية: pMOSFET حيث يحتوي على قناة موجبة. يعتبر هذا المقحل من أكثر الأنواع شيوعاً في الدوائر التماثلية والرقمية بعد حتى حل مكان مقحل الوصلة ثنائي القطب.
البنية الداخلية وطريقة العمل
يتكون الجزء الفعال في ترنزيستور "موسفيت" من بلور موصل ومنقط ب - P ، ما يسمى
ب - Subsstrate ، بداخله يتم تنقيط جزيرتين من مادة N الموصلة
ويعلب كاملا بطبقة عازلة من مادة أكسيد السيليكون
يركب عليها وصلة المنبع (Source) ، المصرف (Drain) أوالحاجب (Bulk/Shield).
وعلى الطبقة العازلة تُدخل طبقة من مادة الألمنيوم هجرب عليها وصلة البوابة (Gate)
من هنا تأتي التسمية :
IGFET(Insulated Gate FET)
أي : فيت ذوالبوابة المعزولة
منحنى خصائص المخرج للموسفيت من النوع الموصل وصنف قنال -N
الأنواع الخاصة
موسفيت ذوبوابتين
Dual-Gate MOS-FET
موسفيت ذوالبوابتين من التصميمات الخاصة لترنزيستور تأثير المجال ذوالطبقة المعدنية ، وهومن
النوعية الموصلة. وكما تعبر التسمية فله وصلتين للبوابة ، وذلك لكي
يُدخل تيار التوجيه بوابتيه على التوالي (بالتسلسل) وتكون مستقلتين عن بعهن البعض
أي يمكن تغيير كفاءة أوقدرة التوصيل بين المصرف(D) والمنبع (S) كلا على حدا .
ومثالا لاستعماله أنظر الدرس 19 حيث يستعمل هذا النوع لمجز إشارتي المدخل في منغم الراديو
موسفيت عمودي
VMOS-FET Vertical Metal-Oxide-Semiconductor
جميع أنواع ترنزيستور "فيت" التي عالجنها حتى الآن تصلح للقدرات المنخفضة نسبيا .
وذلك يرجع للمسافة الطويلة نسبيا في "القنال" (5 مايكرومتر تقريبا) ،
حيث تكون مقاومة الاختراق فيه(من 1 كيلوآوم حتىعشرة كيلوآوم) ولذلك تظل محدودة القدرة ،
أما الإمكانيات الحاضرة للتقنية التصنيع فتسمح بجهد وتيار أكبر وبذلك بأكثر قدرة ،
وببناء طبقة عمودية بالإضافة للطبقات الأفقية المتبعة
فيصل التيار فيه إلىعشرة أمبير ويصل الجهد بين المصرف(D) والمنبع(S) إلى 100 فولت .
موسفيت مسطح
SIPMOS-FET
Siemens Power Metal-Oxide-Semiconductor Vertical
يتعادل "موسفيت المسطح" مع هجريب VMOS-FET بإختلاف حتى تقنية بنيته المسطحة ،
ويكون من النوع المنضب أي حاجز . تتراوح مقاومة الإختراق به بحدود الميلي آوم
كما يتراوح توقيت التعشيق به في حدود النانوثانية ، وغالبا يستعمل كمفتاح قدرة سريع
انظر أيضا
- BSIM
- Transistor models
وصلات خارجية
 |
مشاع الفهم فيه ميديا متعلقة بموضوع [[commons: Category:MOS
| MOS(FET) ]]. |
- An introduction to depletion-mode MOSFETs
- MOSFET Process Step by Step A Flash slide showing the fabricating process of a MOSFET in detail step
- MOSFET Calculator MOSFET Calculator
- Advanced MOSFET Issues [1]
- MOSFET applet Very nice applet that helps to understand MOSFET.
- MIT OpenCourseWare courses:
- MIT Open Courseware 6.002 - Spring 2007 -- Link to the intro electrical engineering course at MIT on circuits and electronics.
- MIT Open Courseware 6.012 - Fall 2005 -- Link to a more advanced class taught at MIT all about microelectronics and MOSFETs
- Georgia Tech BJT and FET Slides Slides from a Microelectronic Circuits class at Georgia Tech
- CircuitDesign: MOS Diffusion Parasitics Crude illustrations of MOS diffusion structure and sample circuit layouts to minimize their parasitics
